[发明专利]沟槽栅极沟槽场板半垂直半横向MOSFET

摘要

在描述的示例中，半导体器件(100)具有带有深沟槽结构(104)的垂直漏极延伸MOS晶体管(110)以限定垂直漂移区(108)和至少一个垂直漏极接触区(106)，所述垂直漏极接触区(106)通过深沟槽结构(104)的至少一个实例与垂直漂移区(108)分开。掺杂剂被植入至垂直漏极接触区(106)，并且半导体器件(100)被退火，使得植入的掺杂剂扩散接近深沟槽结构(104)的底部。垂直漏极接触区(106)在介入中间的深沟槽结构(104)的底部处电接触至最近的垂直漂移区(108)。至少一个栅极(114)、主体区(118)和源极区(120)形成在漂移区(108)之上且在半导体器件(100)的衬底(102)的顶部表面处或接近半导体器件(100)的衬底(102)的顶部表面处。深沟槽结构(104)被隔开以形成漂移区(108)的RESURF区域。

主权项

1.一种垂直MOS晶体管，其包括：/n半导体衬底；/n栅极沟槽，其形成在所述衬底的表面处并具有侧壁和底部部分，其中栅极介电层形成在所述栅极沟槽的所述侧壁和所述底部部分上，并且栅极形成在所述栅极介电层上；/n第一导电类型的源极区，其形成在所述衬底的所述表面处并且邻近所述栅极沟槽的所述侧壁；/n第二导电类型的主体区，其形成在所述衬底中并在所述源极区之下并且邻近所述栅极沟槽的所述侧壁；以及/n所述第一导电类型的漂移区，其形成在所述衬底中并在所述主体区之下，/n其特征在于，所述垂直MOS晶体管还包括/n在所述衬底的所述表面处形成的第一闭环沟槽，其中所述第一闭环沟槽具有侧壁和底部部分，并且具有形成在所述第一闭环沟槽的所述侧壁和所述底部部分上的第一介电内衬和形成在所述第一介电内衬上并电连接到所述源极区的第一导电材料；和/n形成在所述衬底的所述表面处的第二闭环沟槽，其中所述第二闭环沟槽具有侧壁和底部部分，并且具有形成在所述第二闭环沟槽的所述侧壁和所述底部部分上的第二介电内衬和形成在所述第二介电内衬上并电连接到所述源极区的第二导电材料，其中/n所述栅极沟槽位于所述第一闭环沟槽和所述第二闭环沟槽之间，并且所述源极区的第一部分完全地在所述栅极沟槽的所述侧壁和所述第一闭环沟槽的所述侧壁之间延伸，并且所述源极区的第二部分完全地在所述栅极沟槽的所述侧壁和所述第二闭环沟槽的所述侧壁之间延伸。/n