[发明专利]电活性装置和制造电活性装置的方法在审
申请号: | 201480066044.2 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN105793965A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | H·卡尔维特;S·阿加拉普;L-Y·叶;J-C·伊龙 | 申请(专利权)人: | 赛智电致变色公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/28 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电活性装置,其可以具有第一导电层、第二导电层以及夹持在第一导电层和第二导电层之间的一个或更多个电活性层。电活性装置的一个或更多个相邻层可以包括位于相邻层的第一部分与第二部分之间的物理间隔,物理间隔限定第一部分和第二部分中的每一个的相应的锥形侧壁。一个或更多个相邻层可以包括第一导电层和第二导电层之一。电活性装置的剩余层可以形成在一个或更多个相邻层的物理间隔之上。剩余层可以包括第一导电层和第二导电层中的另一者。 | ||
搜索关键词: | 活性 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电活性装置,包括:第一导电层和第二导电层,以及夹持在所述第一导电层与所述第二导电层之间的一个或更多个电活性层,其中,所述电活性装置的一个或更多个相邻层包括位于多个电活性层的第一部分与第二部分之间的物理间隔,所述物理间隔限定所述第一部分和第二部分中的每一个的相应的锥形侧壁,所述一个或更多个相邻层包括所述第一导电层和所述第二导电层之一,以及其中,所述电活性装置的剩余层形成在所述物理间隔上的一个或更多个相邻层上,所述剩余层包括所述第一导电层和所述第二导电层中的另一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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