[发明专利]半导体纳米线制造有效
| 申请号： | 201480066084.7 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105793956B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | M·B·伯格;K·E·莫斯伦德;H·E·里尔;H·施密特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 酆迅;张昊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在基板1、20、50上制造半导体纳米线12、40、41、45、47的方法。纳米线模板3、6、22、24、31、32形成在基板上。纳米线模板限定细长通道8、26、33，其在模板中的开口7、25与晶种表面10、27、34之间在基板上方横向延伸。晶种表面10、27、34暴露于通道并且具有多达2x4 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基板上制造半导体纳米线的方法，所述方法包括：/n形成纳米线模板，所述纳米线模板限定细长通道，所述细长通道在所述模板中的开口与晶种表面之间在所述基板之上横向延伸，所述晶种表面暴露于所述通道并且具有不大于2.2x10
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
