[发明专利]用于光伏吸收剂膜的核-壳纳米粒子有效
申请号: | 201480066247.1 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN105794001B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·纽曼 | 申请(专利权)人: | 纳米技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0749;B82Y30/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 英国曼*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制备CIGS‑型核‑壳纳米粒子的方法产生核‑壳纳米粒子,所述核‑壳纳米粒子可以包含四元或三元金属硫属化物核。所述核可以基本上被二元金属硫属化物壳包围。核‑壳纳米粒子可以经由液相沉积而沉积在PV电池接触(例如,钼电极)上。然后沉积的粒子可以被熔化或熔融成为用于光伏器件中的薄吸收剂膜。 | ||
搜索关键词: | 用于 吸收剂 纳米 粒子 | ||
【主权项】:
1.一种核‑壳纳米粒子,所述核‑壳纳米粒子包含:核,其中所述核包含具有下式的金属硫属化物:AB1·xB'xC2·yC'y其中A是Cu、Zn、Ag或Cd;B和B'独立地是Al、In或Ga;C和C'独立地是S、Se或Te;0≤x≤1;且0≤y≤2;和包围所述核的壳,所述壳由具有式MxEy的二元金属硫属化物组成,其中M是金属且E是硫属元素,其中所述二元金属硫属化物选自由下列各项组成的组:CuxSy、InxSy和GaxSy,其中0≤x≤2;且0≤y≤3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米技术有限公司,未经纳米技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480066247.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用入口/出口电势测量瞬时荷电状态的方法和设备
- 下一篇:双模晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的