[发明专利]单晶生长装置有效
| 申请号： | 201480066269.8 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105980614B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 方仁植;金喆焕 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/24 | 分类号： | C30B15/24;C30B15/20;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳熔融液体，该熔融液体是用于单晶生长的原料；坩锅屏，布置在该坩埚的上端；以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元，其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶生长装置，包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳作为用于单晶生长的原料的熔融液体；坩锅屏，布置在该坩埚的顶部上；第一上部热绝缘部件，布置在所述坩埚屏上；第二上部热绝缘部件，与所述第一上部热绝缘部件间隔开并且布置在所述第一上部热绝缘部件上方；以及传送单元，用于提高或降低该坩埚屏及所述第一上部热绝缘部件，所述传送单元包括：至少一个用于将该坩埚屏和该第一上部热绝缘部件结合在一起的夹具；以及用于提高或降低该至少一个夹具的提升部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG矽得荣株式会社，未经LG矽得荣株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480066269.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：洗衣机
- 下一篇：使用专门捕获探针(HEATSEQ)的序列捕获方法
