[发明专利]纵型半导体装置

摘要

本发明涉及一种纵型半导体装置，其中，缓冲层具有n⁺型的第一缓冲区与n⁺型的第二缓冲区。第一缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第二缓冲区被形成于从半导体层的第一主面起的与第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与漂移层的杂质浓度相比较浓。第一缓冲区在半导体层的第一深度的面内划定了开口。第二缓冲区在半导体层的第二深度的面内划定了开口。

主权项

一种纵型半导体装置，具备：半导体层；第一主电极，其对所述半导体层的第一主面进行覆膜；第二主电极，其对所述半导体层的第二主面进行覆膜，所述半导体层具有：缓冲层；第一半导体层，其为第一导电型，并与所述缓冲层相接，且被配置于与所述缓冲层相比靠所述第二主面侧；第二半导体层，其为第二导电型，并与所述第一半导体层相接，且被配置于与所述第一半导体层相比靠所述第二主面侧，所述缓冲层具有：第一缓冲区，其为第一导电型，并被形成在从所述第一主面起的第一深度处，且该第一缓冲区的杂质浓度与所述第一半导体层的杂质浓度相比较浓；第二缓冲区，其为第一导电型，并被形成在从所述第一主面起的与所述第一深度相比较浅的第二深度处，且该第二缓冲区的杂质浓度与所述第一半导体层的杂质浓度相比较浓，所述第一缓冲区在所述半导体层的所述第一深度的面内划定了开口，所述第二缓冲区在所述半导体层的所述第二深度的面内划定了开口。