[发明专利]减少具有电路的结构中的翘曲有效
| 申请号： | 201480067772.5 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105849891B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | C·E·尤佐 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了减少晶片的至少一个区域的翘曲，形成应力/翘曲管理层(810)以使现有翘曲过平衡并改变方向。例如，如果该区域的中间相对于该区域的边界向上膨胀，则该区域的中间可能变得向下膨胀，或反之亦然。然后对应力/翘曲管理层进行处理以减小过平衡。例如，可以在选定位置处将应力/管理层从晶片剥离，或者可以在该层中形成凹部，或者可以在该层中引起相变。在其他实施例中，该层是钽铝层，其可以使或可以不使翘曲过平衡；据信该层由于依赖晶相的应力而减少了翘曲，该应力动态地调节以适应温度变化，从而减少翘曲(可能通过热循环来保持晶片平整)。还提供了其他特征。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 具有 电路 结构 中的 | ||
【主权项】：
一种用于制造包括电路的结构的方法，包括：获得包括所述电路的第一结构，所述第一结构包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个包括翘曲的第一区域；在所述第一表面上形成第一层以使所述第一区域的翘曲过平衡；以及处理所述第一层以减少所述第一区域的翘曲，其中：将所述第一层粘接到所述第一表面上；以及处理所述第一层包括在一个或多个选定位置处剥离所述第一层。
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