[发明专利]用于亚20nm特征的均匀压印图案转移的方法有效

专利信息
申请号: 201480071486.6 申请日: 2014-12-30
公开(公告)号: CN106030406B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 叶正茂;D·L·拉布拉克 申请(专利权)人: 佳能纳米技术公司;分子制模股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;郭辉
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了增加压印光刻中蚀刻选择性的方法,所述方法使用赋予多层材料堆叠件独特形貌的材料沉积技术,由此增加蚀刻过程窗口和改善蚀刻选择性。例如,可在图案化光刻胶层与沉积的金属、准金属或非有机氧化物之间获得大于或等于50:1的蚀刻选择性,这在将图案转移进入衬底的蚀刻过程之前显著保留了图案特征高度,实现了在高保真度下的亚20nm图案转移。
搜索关键词: 用于 20 nm 特征 均匀 压印 图案 转移 方法
【主权项】:
一种压印光刻方法,所述方法包括下述步骤:在衬底上压印有机聚合材料的图案化层,所述图案化层具有限定所述图案化层的特征的残留层和一个或多个突出部分和凹槽,且所述突出部分从所述残留层延伸小于或等于20nm的高度;将蚀刻选择性材料沉积到至少所述图案化层的突出部分和凹槽上,所述蚀刻选择性材料包含相对于有机聚合材料的蚀刻选择性大于或等于50:1的金属、准金属或非有机氧化物;回蚀沉积的蚀刻选择性材料来露出突出部分;回蚀突出部分来露出衬底;和蚀刻衬底来在所述衬底中形成图案化层的反图案。
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