[发明专利]电力半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480072814.4 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN105900234B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 市川庆太郎;鹿野武敏 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/50;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 目的在于提供一种能够尽量维持散热性并实现电力半导体装置的低成本化的技术。电力半导体装置具有:引线框架(1a);电力半导体元件(2),其配置于引线框架(1a)的上表面之上;以及绝缘层(6),其配置于引线框架(1a)的下表面之上。在上述下表面配置了绝缘层(6)的区域的外周线的至少一部分线与扩大外周线的至少一部分线在俯视图中对齐,该扩大外周线是在如下情况下得到的,即,将在上述上表面配置了电力半导体元件(2)的区域的外周线以引线框架(1a)的厚度的量进行了扩展。
搜索关键词: 电力 半导体 装置
【主权项】:
1.一种电力半导体装置,其具有:引线框架;电力用半导体元件,其配置于所述引线框架的第1主面之上;以及绝缘部件,其配置于所述引线框架的与所述第1主面相反侧的第2主面之上,绝缘区域外周线的至少一部分线与扩大外周线的至少一部分线在俯视图中对齐,该绝缘区域外周线是在所述第2主面配置了所述绝缘部件的区域的外周线,该扩大外周线是在如下情况下得到的,即,将在所述第1主面配置了所述半导体元件的区域的外周线以所述引线框架的厚度的量进行了扩展,在仅仅是所述绝缘区域外周线的一部分线与所述扩大外周线的一部分线在俯视图中对齐的情况下,所述绝缘区域外周线的剩余的线与所述扩大外周线的剩余的线相比在俯视图中位于外侧。
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