[发明专利]太阳能电池单元和太阳能电池单元的制造方法有效
申请号: | 201480074059.3 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN105934828B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 三田怜;渡部武纪;大塚宽之 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | [问题]为了提供一种具有低成本、高可靠性和高转换效率的太阳能电池单元。[解决方案]一种太阳能电池单元的制造方法,其中第二导电型层和防反射膜通过层叠于第一导电型半导体基板上形成;将含有导电性颗粒和玻璃粉的导电性糊剂涂布至所述防反射膜的规定位置;和通过将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板烧结形成电极;所述电极贯通所述防反射膜并且电连接至所述第二导电型层。在所述烧结之后即刻而不是回复至室温,将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板连续地加热处理。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池单元的制造方法,其包括:将第二导电型层和防反射膜形成且层叠于第一导电型半导体基板上;将含有导电性颗粒和玻璃粉的导电性糊剂涂布至所述防反射膜的规定位置;将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板烧结;和形成贯通所述防反射膜并且电连接至所述第二导电型层的电极,其中在所述烧结之后即刻而不是回复至室温,将已涂布有所述导电性糊剂的半导体基板连续地进行加热处理,加热温度为300℃以上且500℃以下,加热时间是1秒以上且60秒以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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