[发明专利]使用两个温度传感装置调整CVD反应器过程室内温度的设备和方法

摘要

本发明涉及一种用于热处理，尤其用于涂敷衬底(9)的设备和方法，包括由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整的加热装置(11)。为防止温度偏移，建议第二温度传感装置(8)用于识别第一温度传感装置(7、12)的温度偏移和再校准第一温度传感装置(7、12)。第一温度传感装置(7、12)确定在基座(10)第一位置(M₁、M₂、M₃、M₄、M₅、M₆)的温度。第二温度传感装置(8)确定在基座(10)第二位置的温度。在测量间隔，用第二温度传感装置(8)测量尤其衬底(9)的表面温度。将这一测量值与额定值比较，此时，若额定值偏离测得的实际值则形成修正系数，将修正系数加入第一温度传感装置(7、12)的用于调整加热装置(11)的测量值，目的是使由第二温度传感装置(8)测得的温度实际值能接近相关的温度额定值。

主权项

1.一种用于涂敷至少一个衬底(9)的设备，包括由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整的加热装置(11)，以便将所述温度传感装置(7、12)的测量值调整到额定温度，其中，第一温度传感装置(7、12)测量在基座(10)上侧的第一个温度，所述至少一个衬底(9)在处理时安放在此基座(10)上，以及包括第二温度传感装置(8)，它测量衬底(9)上侧的第二个温度，其中，第一温度传感装置(7、12)设计和配置为使它测量基座(10)上侧的表面温度，而与第一温度传感装置(7、12)相比对较短的波长更敏感的第二温度传感装置(8)设计和配置为，使它测量衬底(9)表面或在衬底(9)表面上沉积层的表面温度，其中所述调整器(13)设计为，借助第二温度传感装置(8)在处理工艺过程中多次分别在一个测量间隔内确定衬底的表面温度与处理温度的偏差，其中衬底的表面温度与额定温度相差一个在处理工艺过程中变化的温度差，以及修正性干预温度调整，以便将衬底的表面温度调整到所述处理温度，其中，所述设备包括主动冷却式进气机构(3)，该进气机构与基座(10)相对置以及具有面朝基座(10)的气体出口(5、6)，第一温度传感装置(7、12)和/或第二温度传感装置(8)的光学传感器测量路径延伸通过所述气体出口。