[发明专利]具有悬浮结构的半导体传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201480075003.X | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105940295B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | A.萨马劳;A.法伊;G.奥布赖恩;G.亚马;F.普尔克尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成，并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成，并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 悬浮 结构 半导体 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体气体传感器器件，包括：衬底；由所述衬底支撑的导电层；非适合种晶层，由第一材料形成，并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分；以及多孔气体感测层部分，由第二材料形成并直接由所述非适合种晶层且与所述导电层电连通地支撑，所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。
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