[发明专利]制造纳米线器件的内部间隔体的集成方法有效
| 申请号： | 201480076297.8 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106030815B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | S·金;D·A·西蒙;K·J·库恩;C·W·沃德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/764 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有多个内部间隔体的纳米线器件和用于形成所述内部间隔体的方法。在实施例中，半导体器件包括：设置在衬底上方的纳米线叠置体，纳米线叠置体具有多个垂直叠置的纳米线；栅极结构，其环绕多个纳米线中的每个纳米线，限定了器件的沟道区，栅极结构具有栅极侧壁；在沟道区的相对侧上的源极/漏极区对；以及内部间隔体，其在栅极侧壁的位于两个相邻的纳米线之间的部分上，位于纳米线叠置体内部。在实施例中，通过将光可限定间隔体材料沉积在相邻于沟道区蚀刻的凹坑中来形成内部间隔体。光可限定材料通过更改凹坑外部的材料的蚀刻特性并选择性地去除凹坑外部的更改的光可限定材料来保留在凹坑中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 器件 内部 间隔 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n纳米线叠置体，其设置在衬底上方，所述纳米线叠置体具有多个垂直叠置的纳米线；/n栅极结构，其环绕所述多个垂直叠置的纳米线中的每个纳米线，限定了所述器件的沟道区，所述栅极结构具有栅极侧壁；/n外部间隔体，其在所述栅极侧壁的位于所述纳米线叠置体上方的部分上，其中所述外部间隔体是不透明的；/n源极/漏极区对，其在所述沟道区的相对侧上；以及/n内部间隔体，其在所述栅极侧壁的位于两个相邻的纳米线之间的部分上，位于所述纳米线叠置体内部，所述内部间隔体包括光可限定电介质材料。/n
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