[发明专利]利用具有隧穿场效应晶体管(TFET)的电路实施的复用器逻辑功能有效
| 申请号： | 201480076342.X | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030824B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | D·H·莫里斯;U·E·阿维奇;R·里奥斯;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了具有隧穿场效应晶体管(TFET)器件的复用器电路。例如，复用器电路包括彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管(TFET)器件。第一组TFET器件接收第一数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。第二组TFET器件彼此耦合并且接收第二数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号。输出端子耦合到第一组TFET和第二组TFET。输出端子生成复用器电路的输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 具有 场效应 晶体管 tfet 电路 实施 复用器 逻辑 功能 | ||
【主权项】：
一种复用器电路，包括：彼此耦合的第一组隧穿场效应晶体管(TFET)器件，接收第一数据输入信号、第一选择信号和第二选择信号；彼此耦合的第二组TFET器件，接收第二数据输入信号、所述第一选择信号和所述第二选择信号；以及耦合到所述第一组TFET和所述第二组TFET的输出端子，所述输出端子生成所述复用器电路的输出信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480076342.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
