[发明专利]具有可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201480076343.4 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106030817B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了包括可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。在一些实施例中，可以通过诸如电压或电场等力的施加或撤除的至少其中之一来动态改变可变带隙沟道的一个或多个带隙特性。在一些实施例中，可变带隙沟道可以被配置为响应于力的施加和/或撤除而从导通调制到截止状态，反之亦然。可变带隙沟道在导通状态中可以呈现出比在截止状态中更小的带隙。结果，TFET可以呈现出相对高的导通电流、相对低的截止电流和低于60mV/十倍程的亚阈值摆幅中的一个或多个。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可变 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管，包括：/n源极；/n漏极；/n所述源极与所述漏极之间的可变带隙沟道，其中，所述可变带隙沟道包括第一材料层和第二材料层，其中，所述第一材料层包括第一氧化物，并且所述第二材料层包括被部分氧化并与所述第一氧化物互补的第二氧化物；以及/n紧邻所述可变带隙沟道的至少一个栅极区；/n其中，所述可变带隙沟道的至少一个带隙特性响应于对所述可变带隙沟道的力的施加和去除的至少其中之一而动态变化。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480076343.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连续冲孔模具
- 下一篇：一种节镍型不锈钢温差拉深成形装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
