[发明专利]用于形成具有点接触的自由磁性层的自旋转移扭矩存储器的技术

摘要

公开了用于制造具有点接触的自由磁性层的自对准自旋转移扭矩存储器(STTM)器件的技术。在一些实施例中，所公开的STTM器件包括第一电介质间隔体，第一电介质间隔体覆盖被图案化为为STTM的自由磁性层提供电子接触的导电硬掩模层的侧壁。硬掩模接触部可以比自由磁性层窄。第一电介质间隔体可以用于对STTM的固定磁性层进行图案化。在一些实施例中，STTM还包括覆盖其自由磁性层的侧壁的可选的第二电介质间隔体。第二电介质间隔体可以用于对STTM的固定磁性层进行图案化，并且可以至少部分地用于在这种图案化期间保护自由磁性层的侧壁免于再沉积蚀刻副产品，由此防止固定磁性层与自由磁性层之间的电短路。

主权项

一种集成电路，包括：固定磁性层；第一绝缘体层，所述第一绝缘体层形成在所述固定磁性层之上；自由磁性层，所述自由磁性层形成在所述第一绝缘体层之上；第二绝缘体层，所述第二绝缘体层形成在所述自由磁性层之上；导电的硬掩模层，所述导电的硬掩模层形成在所述第二绝缘体层之上，其中，所述硬掩模层具有的宽度/直径小于所述自由磁性层的宽度/直径；以及第一电介质间隔体，所述第一电介质间隔体形成在所述第二绝缘体层之上并且覆盖所述硬掩模层的侧壁。