[发明专利]用于基于鳍状物的NMOS晶体管的高移动性应变沟道有效
| 申请号： | 201480076490.1 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106030818B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;R·科特利尔;H·W·肯内尔;G·A·格拉斯;A·S·默西;W·拉赫马迪;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于将高移动性应变沟道并入到基于鳍状物的NMOS晶体管(例如，诸如双栅极、三栅极等的FinFET)内的技术，其中，将应力材料包覆到鳍状物的沟道区域上。在一个示例实施例中，将锗或硅锗膜包覆到硅鳍状物上，以便于提供鳍状物的核心中的期望的拉伸应变，虽然可以使用其它鳍状物和包覆材料。技术与典型的过程流程兼容，并且包覆沉积可以出现在典型过程流程内的多个位置处，在各种实施例中，可以形成具有最小宽度(或随后减薄)的鳍状物，以便于提高晶体管性能。在一些实施例中，减薄的鳍状物也增加了跨包覆膜的整个核心的拉伸应变。在一些情况下，可以通过添加嵌入式硅(Si)外延源极和漏极来进一步增强核心中的应变。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基于 鳍状物 nmos 晶体管 移动性 应变 沟道 | ||
【主权项】：
一种NMOS半导体器件，包括：位于衬底上的鳍状物，所述鳍状物包括半导体材料并且具有沟道区和邻近于所述沟道区的相应的源极区/漏极区，其中，所述鳍状物具有第一宽度(W1)；位于所述鳍状物的所述沟道区的一个或多个表面上的锗或硅锗(SiGe)的包覆层；位于所述包覆层之上的栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的栅极电极；以及位于所述源极区/漏极区中的每个区中的N+掺杂的源极材料/漏极材料。
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