[发明专利]不使用穿硅通孔(TSV)将存储器管芯直接集成到逻辑管芯的方法有效
| 申请号： | 201480078905.9 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106463467B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包括：形成包括设置于多个第一互连件与多个第二互连件之间的集成电路器件层的第一衬底；将包括存储器器件层的第二衬底耦合到所述第一衬底，以使得所述存储器器件层与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置；以及去除所述第一衬底的一部分。一种设备包括：器件层，所述器件层包括设置于衬底上的多个第一互连件与多个第二互连件之间的多个电路器件；存储器器件层，所述存储器器件层包括与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置并耦合的多个存储器器件；以及耦合到第一多个互连件中的一些互连件和第二多个互连件中的一些互连件的其中之一的接触点。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 穿硅通孔 tsv 存储器 管芯 直接 集成 逻辑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路的方法，包括：/n形成第一衬底，所述第一衬底包括设置于多个第一互连件与多个第二互连件之间的集成电路器件层；/n将包括存储器器件层的第二衬底耦合到所述第一衬底，以使得所述存储器器件层与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置；以及/n去除所述第一衬底的一部分，/n其中，形成包括设置于多个第一互连件与多个第二互连件之间的集成电路器件层的第一衬底包括：/n在所述第一衬底上形成第一器件层，所述第一器件层包括多个第一器件；/n在所述第一衬底上形成多个第一互连件，其中，所述多个第一互连件中的一些第一互连件耦合到所述多个第一器件中的一些第一器件；/n将没有多个第二器件的器件层和包括多个第二器件的器件层的其中之一耦合到所述多个第一互连件中的一些第一互连件，在没有所述多个第二器件的器件层被耦合的条件下，所述方法包括形成多个第二器件；以及/n在所述第二器件层上形成多个第二互连件，其中，所述多个第二互连件中的一些第二互连件耦合到所述多个第二器件中的一些第二器件。/n
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