[发明专利]独立式硅台面上的Ⅲ-N族外延器件结构有效
| 申请号： | 201480081456.3 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106796952B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;H·W·田;S·K·加德纳;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;B·舒-金;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | Ⅲ‑N族半导体异质结构位于从硅衬底的台面横向过度生长的Ⅲ‑N族外延岛上。一种IC可以包括设置在Ⅲ‑N族外延岛上的Ⅲ‑N族半导体器件，该Ⅲ‑N族外延岛悬于硅台面之上，并且还可以包括与Ⅲ‑N族器件单片集成的基于硅的MOSFET。来自硅台面的横向外延过度生长可以提供良好晶体质量的Ⅲ‑N族半导体区，在该半导体区上可以制造晶体管或其它有源半导体器件。Ⅲ‑N族岛的悬垂表面可以在不同极性的表面上提供多个器件层。单独的Ⅲ‑N族岛之间的间隔可以为包括Ⅲ‑N族半导体器件的IC提供机械柔量。硅台面的底切可以用于将Ⅲ‑N族外延岛转移到替代衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 面上 外延 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体异质结构，包括：一对硅台面，其设置在硅衬底的第一区中；一对Ⅲ‑N族外延岛，其设置在所述台面的顶部表面上，所述岛的c轴大体上正交于所述顶部台面表面，每个岛包括核心区以及包围所述核心并横向延伸超出所述硅台面的侧壁的外围区，所述外围区具有由非零间隔分隔开的n平面侧壁；以及一个或多个Ⅲ‑N族外延半导体器件层，其设置在所述Ⅲ‑N族外延岛之上，所述一个或多个Ⅲ‑N族外延半导体器件层至少覆盖所述外围区的(0001)表面和(000‑1)表面。
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