[发明专利]用于半导体器件的选择性栅极间隔体有效
| 申请号： | 201480081500.0 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106716644B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | S·B·克伦德宁;S·S·廖;F·格瑟特莱恩;R·胡拉尼;P·E·罗梅罗;G·M·克洛斯特;M·M·米坦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 讨论了用于半导体器件的涉及形成选择性栅极间隔体的技术和使用这样的技术形成的晶体管结构和器件。这样的技术包括在半导体鳍状物上形成阻挡材料，在阻挡材料的部分上设置栅极，该栅极具有与阻挡材料不同的表面化学性质，在栅极上而不在阻挡材料的部分上形成选择性共形层，以及去除阻挡材料的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 选择性 栅极 间隔 | ||
【主权项】：
一种用于制造晶体管的方法，包括：在半导体鳍状物上形成阻挡材料；在所述阻挡材料的至少第一部分上设置栅极，其中，所述栅极和所述阻挡材料包括不同的表面化学性质；在所述栅极上选择性地形成共形层，其中，所述共形层相对于所述阻挡材料具有蚀刻选择性，并且其中，所述共形层不形成在所述阻挡材料的至少第二部分上；以及去除所述阻挡材料的暴露部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480081500.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
