[发明专利]半导体装置

摘要

根据本发明的一实施方式，设置有M(M为2以上的整数)个半导体芯片、与N(N为2以上的整数)通道量的贯通电极。将M个半导体芯片依序积层，贯通电极被埋入于所述半导体芯片而将所述半导体芯片在积层方向上电连接，所述贯通电极的连接目标在所述半导体芯片的1个或多个上下层间更替。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于具备：使M为2以上的整数时的M个半导体芯片，依序积层；及控制器芯片，控制所述半导体芯片；且使N为2以上的整数时，于所述半导体芯片，埋入着N个贯通电极，所述N个贯通电极将所述半导体芯片在积层方向上电连接于其他半导体芯片，所述贯通电极的连接目标在所述半导体芯片的1个或多个上下层间更替，所述控制器芯片包含：通道控制部，将通过所述N个贯通电极实现的通道数控制为1以上N以下的数，所述M个半导体芯片包括第一半导体芯片以及第二半导体芯片，在所述第一半导体芯片设置着：第一贯通电极，第二贯通电极，第三贯通电极，以及第四贯通电极；在所述第二半导体芯片设置着：电连接于所述第四贯通电极的第五贯通电极，电连接于所述第一贯通电极的第六贯通电极，电连接于所述第二贯通电极的第七贯通电极，以及电连接于所述第三贯通电极的第八贯通电极；在所述通道控制部设置着：第一MOS电晶体，源极电连接于第一输入节点，漏极电连接于所述第一贯通电极，第二MOS电晶体，源极电连接于第二输入节点，漏极电连接于所述第二贯通电极，第三MOS电晶体，源极电连接于第三输入节点，漏极电连接于所述第三贯通电极，第四MOS电晶体，源极电连接于第四输入节点，漏极电连接于所述第四贯通电极，第五MOS电晶体，源极电连接于所述第四输入节点，漏极电连接于所述第一贯通电极，第六MOS电晶体，源极电连接于所述第二输入节点，漏极电连接于所述第四贯通电极，第七MOS电晶体，源极电连接于所述第二输入节点，漏极电连接于所述第一贯通电极，以及第八MOS电晶体，源极电连接于所述第二输入节点，漏极电连接于所述第三贯通电极。