[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480081885.0 申请日: 2014-09-11
公开(公告)号: CN107155387B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 上村仁 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M7/487 分类号: H02M7/487;H02M7/5387
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体装置具有钳位电路(24)和彼此串联连接的多个自消弧元件(12)。多个自消弧元件(12)具有控制端子及多个主电极端子。钳位电路(24)在该多个自消弧元件(12)断开时将该多个自消弧元件(12)的主电极端子间电压钳位至钳位电压,该钳位电压规定为小于或等于自消弧元件(12)所具有的静态耐压的70%。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:多个第1自消弧元件,它们彼此串联连接,具有控制端子及多个主电极端子;以及钳位单元,其分别与所述多个第1自消弧元件连接,在所述第1自消弧元件断开时将所述第1自消弧元件的主电极端子间电压钳位至钳位电压,该钳位电压规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70%,所述钳位单元包含钳位用自消弧元件,该钳位用自消弧元件具有第1端子、第2端子、以及用于对所述第1、2端子进行通断的第3端子,该钳位用自消弧元件以下述方式插入至所述主电极端子和所述控制端子之间,即,所述第1端子与所述主电极端子侧连接,将所述第2端子与所述控制端子侧连接,所述钳位用自消弧元件进行自钳位的电压是所述第1自消弧元件的静态耐压的50%~70%。
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