[发明专利]阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201480082458.4 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107078065A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 金一诺;代迎伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钴或钌层的阻挡层、形成在钴或钌层上并填满凹进区的金属层；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 去除 方法 以及 半导体 结构 形成 | ||
【主权项】：
一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该阻挡层的去除方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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