[发明专利]用于从原位沉积的磁性叠层制造自旋逻辑器件的方法有效

专利信息
申请号: 201480083526.9 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN107004760B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: D·J·米夏拉克;S·马尼帕特鲁尼;J·S·克拉克;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了一种方法,包括:在衬底或模板上形成磁体,所述磁体具有界面;在所述磁体的界面上形成非磁体导电材料的第一层,使得原位形成所述磁体和非磁体导电材料的层。描述了一种装置,包括:形成在衬底或模板上的磁体,所述磁体在结晶、电磁或热力条件下形成,所述磁体具有界面;以及形成在磁体的界面上的非磁体导电材料的第一层,使得原位形成所述磁体和所述非磁体导电材料的层。
搜索关键词: 用于 原位 沉积 磁性 制造 自旋 逻辑 器件 方法
【主权项】:
一种方法,包括:在衬底或模板上形成磁体,所述磁体具有界面;以及在所述磁体的界面上形成非磁体导电材料的第一层,使得原位形成所述磁体和所述非磁体导电材料的层。
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