[发明专利]利用半导体器件的牺牲性阻挡层的选择性沉积有效
| 申请号： | 201480083547.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004707B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | G·克洛斯特;S·B·克伦德宁;R·胡拉尼;S·S·廖;P·E·罗梅罗;F·格瑟特莱恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了在半导体结构上选择性地沉积高K栅极电介质的方法。该方法包括提供设置在半导体衬底上方的半导体结构。该半导体结构设置在隔离侧壁旁边。牺牲性阻挡层然后选择性地沉积在隔离侧壁上，并且不沉积在半导体结构上。此后，高K栅极电介质沉积在半导体结构上，但不沉积在牺牲性阻挡层上。牺牲性阻挡层的性质防止氧化物材料沉积在其表面上。然后执行热处理以去除牺牲性阻挡层，从而仅在半导体结构上形成高K栅极电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 半导体器件 牺牲 阻挡 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体结构，其设置在半导体衬底上方；隔离侧壁，其设置在所述半导体结构旁边以及所述半导体衬底上方；高K电介质层，其直接设置在所述半导体结构的不止一侧上，并且不设置在所述隔离侧壁上。
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