[发明专利]解耦过孔填充

摘要

公开了用于提供解耦过孔填充的技术。给定过孔沟槽，将第一阻挡层共形地沉积到沟槽的底部和侧壁上。将第一金属填料毯式沉积到沟槽中。随后，使非选择性沉积物凹进，使得仅沟槽的部分填充有第一金属。与第一金属一起去除先前沉积的第一阻挡层，由此重新暴露沟槽的上部侧壁。将第二阻挡层共形地沉积到第一金属的顶部和现在曝露的沟槽的侧壁上。将第二金属填料毯式沉积到剩余沟槽中。能够如随后的处理所需地执行平坦化和/或蚀刻。从而，提供了用于使用双金属工艺来填充高纵横比过孔的方法学。然而，需要注意，第一填充金属和第二填充金属可以相同。

主权项

一种集成电路装置，包括：层间电介质(ILD)层，具有形成于其中的沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部，所述底部至少部分地着陆于下部金属上；第一共形阻挡层，在所述沟槽的所述侧壁的至少部分和所述底部上；第一金属，部分地填充所述沟槽并且与所述第一阻挡层在所述沟槽的所述底部直接接触，所述第一金属具有顶部表面；第二共形阻挡层，在所述第一金属的所述顶部表面和所述沟槽的所述侧壁的至少部分上，由此限定所述沟槽的上部部分；以及第二金属，填充所述沟槽的所述上部部分。