[发明专利]利用基于深宽比沟槽的工艺形成均匀层有效
申请号: | 201480083597.9 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN107004712B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | S·K·加德纳;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;G·杜威;J·T·卡瓦列罗斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;N·拉哈尔-乌拉比;N·M·泽利克;M·C·弗伦奇;T·加尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施例包括一种器件,包括:第一鳍状物和第二鳍状物,第一鳍状物和第二鳍状物彼此相邻并且每个均包括沟道层和子鳍状物层,沟道层具有直接接触子鳍状物层的上表面的底表面;其中(a)底表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的;(b)上表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的;并且(c)沟道层包括上部III‑V材料,并且子鳍状物层包括与上部III‑V材料不同的下部III‑V材料。本文中描述了其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 利用 基于 沟槽 工艺 形成 均匀 | ||
【主权项】:
一种器件,包括:第一鳍状物结构,其包括位于第一下部鳍状物部分上的第一上部鳍状物部分;第二鳍状物结构,其包括位于第二下部鳍状物部分上的第二上部鳍状物部分;其中(a)在所述第一鳍状物结构和所述第二鳍状物结构之间不存在其他鳍状物结构,并且第一鳍状物结构和第二鳍状物结构彼此相邻;(b)所述第一上部鳍状物部分和所述第二上部鳍状物部分具有直接接触所述第一下部鳍状物部分和所述第二下部鳍状物部分的第一上表面和第二上表面的第一底表面和第二底表面;(c)所述第一底表面和所述第二底表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的;(d)所述第一上表面和所述第二上表面总体上彼此共面并且总体上是平坦的;并且(e)所述第一上部鳍状物结构和所述第二上部鳍状物结构包括上部III‑V材料,并且所述第一下部鳍状物结构和所述第二下部鳍状物结构包括与所述上部III‑V材料不同的下部III‑V材料。
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