[发明专利]用于生产用于具有硫化铟钠缓冲层的薄膜太阳能电池的层系统的方法有效

专利信息
申请号: 201480084284.5 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN107210187B 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: J.帕尔姆;S.波尔纳;T.哈普;T.达利博尔;S.约斯特;R.迪特米勒;R.弗马 申请(专利权)人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周学斌;张涛
地址: 安徽省蚌*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种用于生产用于薄膜太阳能电池(100)的层系统(1)的方法,其中a)生产吸收层(4),以及b)在吸收层(4)上生产缓冲层(5),其中,缓冲层(5)包含根据化学式NaxIny‑x/3S的硫化铟钠,其中0.063≤x≤0.625并且0.681≤y≤1.50,并且其中,基于至少一种硫铟酸钠化合物来生产缓冲层(5),而不沉积硫化铟。
搜索关键词: 用于 生产 具有 硫化 缓冲 薄膜 太阳能电池 系统 方法
【主权项】:
用于生产用于薄膜太阳能电池(100)的层系统(1)的方法,其中a)生产吸收层(4),以及b)在吸收层(4)上生产缓冲层(5),其中,缓冲层(5)包含根据化学式NaxIny‑x/3S的硫化铟钠,其中,0.063 ≤ x ≤ 0.625并且0.681 ≤ y ≤ 1.50,并且其中,基于至少一种硫铟酸钠化合物来生产缓冲层(5),而不沉积硫化铟。
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