[发明专利]双台面结构双向可控硅封装的测试方法在审
| 申请号： | 201510001899.3 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104502823A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 诸建周;黄洁超 | 申请（专利权）人： | 无锡罗姆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 杨明 |
| 地址： | 214000江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双台面结构双向可控硅封装的测试方法，属于电子元器件测试领域，包括步骤：S1：对双台面结构双向可控硅进行模拟高压放电，其中，高压放电时间为100ms；S2：对完成模拟高压放电后的双台面结构双向可控硅进行基本参数测试，以判断基本参数是否符合预设值，若符合则判断双台面结构双向可控硅合格，若不符合则判断双台面结构双向可控硅已损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 结构 双向 可控硅 封装 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种双台面结构双向可控硅的测试方法，其特征在于：包括步骤：S1：对双台面结构双向可控硅进行模拟高压放电，其中，高压放电时间为100ms；S2：对完成模拟高压放电后的双台面结构双向可控硅进行基本参数测试，以判断基本参数是否符合预设值，若符合则判断双台面结构双向可控硅合格，若不符合则判断双台面结构双向可控硅已损坏。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡罗姆半导体科技有限公司;，未经无锡罗姆半导体科技有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510001899.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于扫描开关内部继电器的阵列式状态检测电路
- 下一篇：智能插排批量测试工具
