[发明专利]一种基于VBE线性化的低温漂带隙基准电压源有效
申请号: | 201510002900.4 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN104714588A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 金湘亮;周梦嵘;谢亮;张文杰 | 申请(专利权)人: | 江苏芯力特电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 212415 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种基于VBE线性化的低温漂带隙基准电压源,电路包含PTAT电流产生电路,高阶补偿带隙基准电路,启动电路一和启动电路二。该基准电路由两个集电极电流温度特性不同的VBE之差构建非线性项,再与VBE叠加,抵消其中的非线性项,达到高阶补偿的效果。其零温度特性集电极电流是由两个VBE叠加再减去一个VBE的电压加在电阻R3两端产生的负温度系数电流和ΔVBE在电阻R1上产生的正温度系数电流相加而成,温度特性不受输出电压精度的影响,保证了高阶补偿的精度。与传统VBE线性化方法相比,该电路采用电压模输出VREF,避免了电流镜失配和输出电阻温度特性对补偿精度的影响,从而获得高精度零温度系数的基准电压,进而解决转换精度低等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 vbe 线性化 低温 漂带隙 基准 电压 | ||
【主权项】:
一种基于VBE线性化的低温漂带隙基准电压源,其特征在于:包括PTAT电流产生电路,高阶补偿带隙基准电路,启动电路一和启动电路二;所述PTAT电流产生电路,用于产生所述高阶补偿带隙基准电路的偏置电压和PTAT电流;所述高阶补偿带隙基准电路,通过具有不同温度特性的电流流经集电极的三极管基‑射极电压VBE之差构建非线性项,再与VBE叠加,抵消其中的非线性项,输出高阶补偿的带隙基准电压;所述的启动电路一,用于产生所述PTAT电流产生电路的启动电流,避免电路在上电后进入简并偏置点,当启动完成后,关断启动电流,降低电路功耗;所述的启动电路二,用于产生所述高阶补偿带隙基准电路的启动电流,避免电路在上电后进入简并偏置点,当启动完成后,关断启动电流,降低电路功耗。
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