[发明专利]磁控溅射真空室进气装置及磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201510003435.6 申请日: 2015-01-05
公开(公告)号: CN104451583B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 张启平;孙文波 申请(专利权)人: 合肥京东方显示光源有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 彭久云
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种磁控溅射真空室进气装置及使用该进气装置的磁控溅射设备,该磁控溅射真空室进气装置包括用于接收并混合气体的混气盒、将气体通入真空室内的进气盒以及连接两者的连接管,所述混气盒具有一个或多个进气管。该进气装置可提高气体进入真空室后分布的均匀性,可提高在通入混合气体时气体混合的效果;还可有效地降低在磁控溅射镀膜进气过程中气体对真空室内精密设备的冲击力,从而延长设备的使用寿命。
搜索关键词: 磁控溅射 真空 室进气 装置 设备
【主权项】:
一种磁控溅射真空室进气装置,其中包括用于接收并混合气体的混气盒、将气体通入真空室内的进气盒以及连接两者的连接管,所述混气盒具有多个进气管,所述多个进气管在所述混气盒上具有高度差;在所述进气盒内相对于所述连接管的开口处设置缓冲挡板;所述的进气盒至少包括内盒和外盒,所述内盒嵌套在所述外盒内,所述内盒和外盒之间具有间隔,且所述连接管的开口设置在所述内盒内,所述内盒和外盒上均分布有气流孔;所述内盒和外盒上的气流孔均匀分布于其侧面及底面。
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