[发明专利]铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板有效
| 申请号： | 201510004760.4 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104561989B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈迎龙;杨盛良;王黎明;蒋文评 | 申请（专利权）人： | 湖南浩威特科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04;B22D23/04;H01L23/14 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 410200 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法，包括以下步骤采用冷喷工艺在铝碳化硅表面形成铜层，冷喷工艺条件为载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa。本发明提供的方法在载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa下向铝碳化硅表面进行喷涂镀铜，在该温度压力条件下进行喷铜，有利于提高铜颗粒塑性，在颗粒接触铝碳化硅层时，通过塑性变形在铝碳化硅表面形成均匀铜层。使得所得铜层致密厚度均一，附着力强，可焊性好。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 镀铜 方法 所得 电子 封装 底板 | ||
【主权项】：
一种用于铝碳化硅的冷喷镀铜方法，其特征在于，包括以下步骤：采用冷喷工艺在铝碳化硅表面形成铜层，所述冷喷工艺的载气温度为350～400℃，载气压力为1.8～2.0MPa。
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