[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统有效
| 申请号： | 201510004823.6 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104617150B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 植田尚之;中村有希;曾根雄司;安部由希子 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 安之斐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 设备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：/n栅极；/n源极和漏极；/n有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层包括n型金属氧化物半导体；以及/n栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，/n其中，所述金属氧化物半导体包括n型替位掺杂氧化物，其中，所述n型掺杂化合物包括至少一个掺杂物，其中，所有掺杂物的价大于所述金属氧化物半导体中的被替位掺杂的金属离子的价，/n其中，所述n型掺杂化合物是红绿柱石化合物，所述红绿柱石化合物包括从包括In
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