[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510004828.9 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105321904B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 姜序;胡耀文;施能泰;李宗翰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，包括有基材、穿硅通孔结构、阻挡层、第一介电层、第二介电层与镶嵌线路图案。基材具有与第一侧相反的第二侧。穿硅通孔结构突出于基材第二侧的表面。阻挡层共形地覆盖基材的表面以及穿硅通孔结构。第一介电层覆盖阻挡层除了直接位于穿硅通孔结构上方的部分。第二介电层设于第一介电层上。镶嵌线路图案设于第二介电层中。第二介电层直接接触第一介电层。镶嵌线路图案直接接触穿硅通孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 穿硅通孔 线路图案 阻挡层 基材 半导体装置 镶嵌 覆盖基材 共形 覆盖 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：基材，其具有第一侧以及相反于所述第一侧的第二侧；穿硅通孔结构，突出于所述基材的所述第二侧的表面；阻挡层，共形的覆盖所述基材的所述第二侧的表面以及所述穿硅通孔结构；第一介电层，覆盖所述阻挡层除了其直接位于所述穿硅通孔结构上方的部分，所述第一介电层具有经抛光表面，其低于所述阻挡层在所述穿硅通孔周围的部分的上表面；第二介电层，设于所述第一介电层上，其中所述第二介电层直接接触所述第一介电层和所述阻挡层；以及镶嵌线路图案，设于所述第二介电层中，其中所述镶嵌线路图案直接接触所述穿硅通孔结构。
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