[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法有效
申请号: | 201510005537.1 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN104752439B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 李松;罗丽媛;钱栋;刘刚 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作工艺流程。所述阵列基板包括衬底基板,分为显示区和非显示区;薄膜晶体管层,位于所述衬底基板上;所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层,所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接。通过采用本发明所述的阵列基板,能够实现降低VDD走线上的压降,减小有机发光二极管上驱动电压的差异,进而达到消除面板显示亮度不均的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,用于有机发光显示器,其特征在于,包括:衬底基板,分为显示区和非显示区;薄膜晶体管层,位于所述衬底基板上;所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层,所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接;在所述源漏极金属层与所述第一辅助层之间还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层具有至少一个过孔,所述第一辅助层通过所述过孔与所述源漏极金属层电连接;其中,所述源漏极金属层包括第一极、第二极和与所述第一极直接电连接的多条信号线,所述薄膜晶体管层还包括设置在所述衬底基板的半导体层,所述第一辅助层位于所述半导体层和所述第一极之间,且所述第一极通过所述第一辅助层与所述半导体层电连接;或,所述源漏极金属层包括第一极、第二极和与所述第一极直接电连接的多条信号线,所述第一辅助层位于所述衬底基板和所述信号线之间,且所述第一辅助层与所述信号线电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的