[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件的制造方法。简化了半导体器件的制造工序。在半导体器件的制造方法中，在具有检测不同颜色光的像素的每个区域(AR)中，在被形成为覆盖光电二极管(PD)的层间绝缘膜(IL)上形成衬层膜(LF1)。然后，形成在穿透衬层膜(LF1)的同时到达层间绝缘膜(IL)的中途点的开口(OP)。形成衬层膜(LF1)使得衬层膜(LF1)的厚度在各个区域(AR)之间改变。在具有薄衬层膜(LF1)的区域中的开口(OP)的底表面的高度位置比具有厚衬层膜(LF1)的区域中的开口(OP)的底表面的高度位置低。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体基板的主表面的第一区域中形成第一光电转换元件，所述第一光电转换元件适合接收第一入射光并将所述第一入射光转换成电荷，并且在所述半导体基板的所述主表面的第二区域中形成第二光电转换元件，所述第二光电转换元件适合接收第二入射光并将所述第二入射光转换成电荷，所述第二入射光的颜色不同于所述第一入射光的颜色；(b)在所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件上方形成第一膜；(c)在所述第一膜上方形成第二膜；(d)通过蚀刻所述第二膜和所述第一膜，在所述第一区域中形成第一开口，并且在所述第二区域中形成第二开口，所述第一开口在穿透所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第一光电转换元件上方的部分的中途点，所述第二开口在穿透所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第二光电转换元件上方的部分的中途点；(e)形成第三膜以用所述第三膜填充所述第一开口和所述第二开口，其中，在所述步骤(e)中，提供第一光波导以将所述第一入射光导向所述第一光电转换元件，所述第一光波导由所述第三膜的填充所述第一开口的部分形成，并且提供第二光波导以将所述第二入射光导向所述第二光电转换元件，所述第二光波导由所述第三膜的填充所述第二开口的部分形成，并且其中，在所述步骤(c)中，形成所述第二膜，使得所述第二膜的位于所述第一区域中的所述第一光电转换元件上方的部分的第一厚度比所述第二膜的位于所述第二区域中的所述第二光电转换元件上方的部分的第二厚度薄，由此所述第一开口的底表面的第一高度位置比所述第二开口的底表面的第二高度位置低。