[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201510010132.7 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104779281B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一化合物半导体材料和位于第一化合物半导体材料上的第二化合物半导体材料，第一化合物半导体材料包括第一掺杂浓度，第二化合物半导体材料包括与第一化合物半导体材料不同的材料。该半导体器件进一步包括控制电极和至少一个掩埋半导体材料区域，该至少一个掩埋半导体材料区域包括不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。该至少一个掩埋半导体材料区域被设置在第一化合物半导体材料中的除了第一化合物半导体材料被控制电极覆盖的区域之外的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一化合物半导体材料，包括第一掺杂浓度；第二化合物半导体材料，在所述第一化合物半导体材料上，所述第二化合物半导体材料包括与所述第一化合物半导体材料不同的材料；控制电极；至少一个掩埋半导体材料区域，包括不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被设置在所述第一化合物半导体材料中的除了所述第一化合物半导体材料被所述控制电极覆盖的区域之外的区域中，以及第一电流电极和第二电流电极，其中在横向方向上，所述至少一个掩埋半导体材料区域被布置在所述第一电流电极和所述控制电极之间，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域包括p‑型掺杂剂材料。
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