[发明专利]一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路在审

专利信息
申请号: 201510010314.4 申请日: 2015-01-08
公开(公告)号: CN104486064A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 陈墨;包伯成;于晶晶;徐权 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,包括负阻G、电阻R1,电容C1、电容C2、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM;其中,负阻G、忆阻器GM与电容C1并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C2并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R1跨接在a、c两端之间。通过调节电路参数,该电路可以产生具有复杂非线性现象的自激吸引子和隐吸引子,且所隐吸引子现象不依赖于电路的初始状态,可以在实验电路中进行观测。因此,该电路具有科学的理论依据和物理上的可实现性,可应用于保密通信、混沌加密等工程领域,对混沌应用系统的发展具有积极的推动作用。
搜索关键词: 一种 具有 吸引 混沌 信号 产生 电路
【主权项】:
一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,其特征在于:包括负阻G、电阻R1,电容C1、电容C2、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM;其中,负阻G、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM与电容C1并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C2并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R1跨接在a、c两端之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510010314.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top