[发明专利]一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路在审
申请号: | 201510010314.4 | 申请日: | 2015-01-08 |
公开(公告)号: | CN104486064A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 陈墨;包伯成;于晶晶;徐权 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,包括负阻G、电阻R1,电容C1、电容C2、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM;其中,负阻G、忆阻器GM与电容C1并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C2并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R1跨接在a、c两端之间。通过调节电路参数,该电路可以产生具有复杂非线性现象的自激吸引子和隐吸引子,且所隐吸引子现象不依赖于电路的初始状态,可以在实验电路中进行观测。因此,该电路具有科学的理论依据和物理上的可实现性,可应用于保密通信、混沌加密等工程领域,对混沌应用系统的发展具有积极的推动作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 吸引 混沌 信号 产生 电路 | ||
【主权项】:
一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路,其特征在于:包括负阻G、电阻R1,电容C1、电容C2、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM;其中,负阻G、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM与电容C1并联,其正、负极端分别记做a、b端;电感L与电容C2并联,其正、负极端分别记做c、d端;耦合电阻R1跨接在a、c两端之间。
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