[发明专利]搭接电阻的测量有效
| 申请号： | 201510011252.9 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104777365B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | A.帕斯夸莱托;J-M.坎坦 | 申请（专利权）人： | 法国大陆汽车公司;大陆汽车有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;胡莉莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及搭接电阻的测量。一种用于确定包括四个晶体管（HS1、HS2、LS1、LS2）的H桥（2）的接触电阻（Rab、Rcd、Ref、Rgh）的方法，每个晶体管具有到两个邻近晶体管的连接的点（4、B、D、F、H），在每种情况中在位于两个晶体管之间的连接点与访问端子（8、A、C、E、G）之间产生搭接（6），其特征在于其包括以下步骤：作用于桥的晶体管的打开/闭合状态，使得在对应于访问端子的连接点的任一侧的晶体管打开，向访问端子施加所确定的电压，确定流过对应于所述访问端子的搭接的电流，如果与所述访问端子邻近的访问端子尚未被连接至地，则将此访问端子接地，以及测量另一邻近访问端子处的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 测量 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定包括布置在H中的四个晶体管（HS1、HS2、LS1、LS2）的H桥（2）的接触电阻（Rab、Rcd、Ref、Rgh）的方法，每个晶体管具有到两个邻近晶体管的连接的点（4、B、D、F、H），在每种情况中在位于两个晶体管之间的连接点（4、B、D、F、H）与访问端子（8、A、C、E、G）之间产生搭接（6），其特征在于其包括以下步骤：• 作用于H桥的晶体管的打开/闭合状态，使得在对应于访问端子（8、A、C、E、G）的连接点（4、B、D、F、H）的任一侧的晶体管打开，• 向访问端子（8、A、C、E、G）施加确定的电压，• 确定流过对应于所述访问端子（8、A、C、E、G）的搭接（6）的电流，• 如果邻近所述访问端子（8、A、C、E、G）的访问端子尚未被连接至地，则将该邻近的访问端子接地，以及• 测量其他邻近访问端子（8、A、C、E、G）处的电压。
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