[发明专利]正方晶格慢光光子带隙光纤有效
| 申请号： | 201510011258.6 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104503019B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 侯金 | 申请（专利权）人： | 中南民族大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)11221 | 代理人： | 魏殿绅,庞炳良 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正方晶格慢光光子带隙光纤，涉及光子带隙光纤领域。该光纤包括纤芯和包层，包层为由若干正方晶格周期结构形成的封闭区域，纤芯为封闭区域的中心缺失的缺陷区域；每个正方晶格周期结构均采用折射率大于2.24的材料A和折射率为1～1.5的材料B制成，A/B＞2.24；纤芯采用折射率大于等于1的材料制成；正方晶格周期结构的四个顶角处均设置有环形柱，相邻环形柱之间通过连接杆连接，环形柱和连接杆均采用材料A制成；环形柱的外部半径为0.2～0.45a，内部半径为0～0.27a；连接杆的宽度小于0.22a。本发明能够采用易于拉制的光纤材料制作，易于大规模生产，成本较低，不仅便于人们使用，而且适用范围比较广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 正方 晶格 光子 光纤 | ||
【主权项】：
一种正方晶格慢光光子带隙光纤，包括纤芯和包层，其特征在于：所述包层包括由若干正方晶格周期结构形成的封闭区域，所述纤芯为封闭区域的中心缺失的缺陷区域；每个正方晶格周期结构均采用折射率大于2.24的材料A和折射率为1～1.5的材料B制成，B填充于A的内部，A/B＞2.24；所述纤芯采用折射率大于等于1的材料制成；所述每个正方晶格周期结构的四个顶角处均设置有环形柱，相邻环形柱之间通过连接杆连接，环形柱和连接杆均采用材料A制成；所述环形柱的外部半径为0.2～0.45a，a为正方晶格的周期；所述环形柱的内部半径为0～0.27a，当环形柱的内部半径为零时，环形柱为实心圆形柱，当环形柱的内部半径为非零时，环形柱为空心圆形柱；所述连接杆的宽度小于0.22a。
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