[发明专利]发光二极管‑半导体元件有效
| 申请号： | 201510011692.4 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104821353B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | D·富尔曼;F·敦泽尔 | 申请（专利权）人： | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管‑半导体元件，其具有n型掺杂的衬底层、n型掺杂的第一外套层、主动层、p型掺杂的第二外套层、p型掺杂的电流扩张层、p型掺杂的接触层，其中，所述外套层设置在所述衬底层上，其中，所述主动层包括发光层并且设置在所述第一外套层上，其中，所述第二外套层设置在所述主动层上，其中，所述电流扩张层设置在所述第二外套层上，其中，所述p型掺杂的接触层设置在所述电流扩张层上，其中，所述p型掺杂的接触层由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种发光二极管‑半导体元件(LEDA)，其具有：n型掺杂的衬底层(SUB)，n型掺杂的第一外套层(N‑MAN)，其中，所述第一外套层(N‑MAN)设置在所述衬底层(SUB)上，主动层(AKT)，其中，所述主动层(AKT)包括发光层并且设置在所述第一外套层(N‑MAN)上，p型掺杂的第二外套层(P‑MAN)，其中，所述第二外套层(P‑MAN)设置在所述主动层上，p型掺杂的电流扩张层，其中，所述电流扩张层(P‑VERT)设置在所述第二外套层(P‑MAN)上，p型掺杂的接触层(P‑KON)，其中，所述p型掺杂的接触层(P‑KON)设置在所述电流扩张层(P‑VERT)上，所述p型掺杂的接触层(P‑KON)由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物，其特征在于，在所述接触层(P‑KON)中铝浓度比在所述电流扩张层(P‑VERT)中更大，并且设置在所述衬底层(SUB)上的外套层(N‑MAN，P‑MAN)和所述电流扩张层(P‑VERT)分别包括AlGaAs化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，未经阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510011692.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光器件封装件
- 下一篇：III族半导体发光器件倒装结构的制作方法
