[发明专利]一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源有效

专利信息
申请号: 201510012286.X 申请日: 2015-01-09
公开(公告)号: CN104503530B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 黄森;林福江 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;郑哲
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源,包括:启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路;其中,所述启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD相连;所述启动电路与自偏置电压产生电路均与主偏置电流产生电路相连;该自偏置电压产生电路利用与主偏置电流产生电路之间的反馈产生稳定的偏置电压传输给主偏置电流产生电路;该主偏置电流产生电路与基准电压产生电路相连,由该基准电压产生电路输出低功耗低温度系数的基准电压Vref。本发明公开的CMOS基准电压源在CMOS工艺上易于实现,具有良好的兼容性,且可在低电压下具有高性能和高可靠度。
搜索关键词: 一种 性能 可靠 低压 cmos 基准 电压
【主权项】:
一种低压CMOS基准电压源,其特征在于,包括:启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路;其中,所述启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD相连;所述启动电路与自偏置电压产生电路均与主偏置电流产生电路相连;该自偏置电压产生电路利用与主偏置电流产生电路之间的反馈产生稳定的偏置电压传输给主偏置电流产生电路;该主偏置电流产生电路与基准电压产生电路相连,由该基准电压产生电路输出低功耗低温度系数的基准电压Vref;具体的结构关系如下:启动电路的输出端与主偏置电流产生电路的第一输入端相连,且该启动电路的输入端与该主偏置电流产生电路的第一输出端相连;自偏置电压产生电路的输出端与主偏置电流产生电路的第二输入端相连,且该自偏置电压产生电路的输入端与该主偏置电流产生电路的第一输出端相连;主偏置电流产生电路的第二与第三输出端分别对应的与基准电压产生电路的第一与第二输入端相连。
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