[发明专利]一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法有效
| 申请号： | 201510014673.7 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104649216A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;独莉;史铁林;谭先华;陈鹏飞 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 梁鹏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，包括：(a)在基片的一个表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在基片含光刻胶表面依次沉积粘附层和种子层；(c)在种子层表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第二圆孔阵列；(d)同时对第一圆孔阵列和第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构；(e)去除光刻胶及多余粘附层和种子层；(f)在T状微柱表面沉积一层保护层；(g)去除微柱T状结构的横状伸出部分并保留柱状结构和保护层，得到一种凹角T状微柱结构。按照本发明的制造方法，能非常可控地制备不同尺度的目标结构，工艺窗口宽，重复性好，化学稳定性高，同时拥有优异的超疏水性、自清洁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 凹角 状微柱 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)在基片(1)的一个表面旋凃第一层光刻胶(2)，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在所述步骤(a)得到的结构中含光刻胶的表面依次沉积粘附层(3)和种子层(4)；(c)在所述步骤(a)中获得的第一圆孔阵列的表面旋凃第二层光刻胶(5)，并执行显影操作得到第二圆孔阵列，由此得到T状圆孔阵列；(d)对所述第一圆孔阵列和所述第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构(6)；(e)去除光刻胶及多余粘附层、种子层；(f)并在所述T状微柱结构(6)的表面沉积一层保护层(7)；(g)去除所述T状微柱结构(6)的横状伸出部分并保留柱状结构和所述凹角状的保护层(7)，由此得到凹角T状微柱结构。
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