[发明专利]集成电路后端工艺波动检测电路以及检测方法有效
申请号: | 201510014939.8 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN105842604B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 林殷茵;李慧 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;H01L23/544 |
代理公司: | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人: | 吴桂琴 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种集成电路后端工艺(BEOL)波动检测电路以及检测方法,属于集成电路的工艺波动的检测表征技术领域。所述BEOL波动检测电路,包括:包括环形振荡器以及流控MOS管的压控振荡器;包括多个测试单元测试单元阵列;第一开关单元,其设置于测试单元测试单元的等效负载电阻R与流控MOS管的栅端之间;以及第二开关单元,其设置于测试单元测试单元的等效负载电容C与压控振荡器的输出端之间。该BEOL波动检测电路可以分别独立地检测BEOL的电阻波动和电容波动,易于区分地检测随机波动和系统波动,BEOL波动检测和表征更加有效准确。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 后端 工艺 波动 检测 电路 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路后端工艺波动检测电路,包括:压控振荡器,其包括环形振荡器以及流控MOS管,所述环形振荡器的环路中设置偶数级串联的反相器以及一级电流驱动型CMOS反相器,其中,控制所述流控MOS管的栅端的电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经与该流控MOS管串联连接的电流驱动型CMOS反相器的电流,该电流驱动型CMOS反相器的输出表征所述压控振荡器的输出端的输出频率;其特征在于,该检测电路还包括:测试单元阵列,其包括N个测试单元,N为大于或等于2的整数,每个测试单元包括集成在一起形成的:反映所述集成电路后端工艺波动中的至少部分电阻波动的等效负载电阻R,以及反映所述集成电路后端工艺波动中的至少部分电容波动的等效负载电容C;第一开关单元,其设置于等效负载电阻R与所述流控MOS管的栅端之间;以及第二开关单元,其设置于等效负载电容C与所述压控振荡器的输出端之间;其中,在所述第一开关单元接通、第二开关单元断开时,所述等效负载电阻R通过耦接所述流控MOS管的栅端来影响所述压控振荡器的频率输出,从而可操作地单独地检测所述电阻波动;在所述第二开关单元接通、第一开关单元断开时,所述等效负载电容C成为所述电流驱动型CMOS反相器的负载电容并影响所述压控振荡器的频率输出,从而可操作地单独地检测所述电容波动。
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