[发明专利]制作阵列基板的方法和阵列基板有效
申请号: | 201510016188.3 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN104538357B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 沈奇雨 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 孙纪泉 |
地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 公开了一种制作阵列基板的方法,所述阵列基板包括设置在薄膜晶体管层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的用于发光器件的第一电极。所述方法包括如下步骤利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层上形成用于设置所述第一电极的像素界定层、用于第一电极的过孔、以及隔垫物。利用本发明实施例的方法制作阵列基板,可以减少了构图工艺的次数,减少了掩模板的使用数量。 | ||
搜索关键词: | 制作 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种制作阵列基板的方法,所述阵列基板包括:设置在薄膜晶体管层上的钝化层、设置在所述钝化层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的用于发光器件的第一电极,其特征在于,所述方法包括如下步骤:利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层中形成用于设置所述第一电极的像素界定层、用于第一电极的过孔、以及隔垫物;其中所述一次构图工艺包括:在所述平坦层上涂覆光刻胶;利用掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影;采用刻蚀工艺,在平坦层的不同区域去除具有不同厚度的部分平坦层和光刻胶,以在平坦层上形成过孔、隔垫物和像素界定层;以及将未去除的光刻胶剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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