[发明专利]纳米二氧化硅表面引入碳碳双键的改性方法在审
| 申请号： | 201510018172.6 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104761692A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 赖南君;郭欣;叶仲斌;周宁;江琴;李屹洋;朱鸿昊 | 申请（专利权）人： | 西南石油大学 |
| 主分类号： | C08F292/00 | 分类号： | C08F292/00;C08F222/06;C09C1/28;C09C3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610500 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米二氧化硅表面引入碳碳双键的改性方法，其包括以下步骤：(1)测定纳米SiO2表面羟基的含量；(2)利用氨基硅烷偶联剂与纳米SiO2反应得到氨基改性纳米SiO2，测定氨基改性纳米SiO2表面氨基的含量来确定改性程度；(3)利用过量的含碳碳双键的改性剂与氨基改性纳米SiO2反应，在所述纳米SiO2表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。采用本发明的改性方法，不仅可以根据需要在纳米SiO2表面可以定量的接枝上具有反应活性的碳碳双键，而且可以通过控制氨基改性的程度来控制接枝上的碳碳双键的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 二氧化硅 表面 引入 双键 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米二氧化硅表面引入碳碳双键的改性方法，其特征在于包括以下步骤：(1)测定纳米SiO2表面羟基的含量；(2)利用氨基硅烷偶联剂与纳米SiO2反应得到氨基改性纳米SiO2，测定氨基改性纳米SiO2表面氨基的含量来确定改性程度；(3)利用过量的含碳碳双键的改性剂与氨基改性纳米SiO2反应，在所述纳米SiO2表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。
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