[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种提高半导体器件特性的方法。在含有铝的最上层布线M4上的保护膜PRO上，形成开口部OA1使布线M4的焊接区域PD1露出，并在露出的布线M4的表面上形成氮化铝。接着，在具有所述布线M4的半导体衬底的背面形成氮化硅膜。如上所述，通过在焊接区域PD1上设置氮化铝膜M4e，便可防止因半导体衬底背面的氮化硅膜引起的在焊接区域PD1上产生异物的现象。尤其在焊接区域PD1的形成工序之后，即使至检查工序及焊接工序为止还需要时间，也可防止在焊接区域PD1中异物的生成反应，从而提高半导体器件的特性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：工序(a)，在半导体衬底的表面的上方形成氮化硅膜；工序(b)，在所述氮化硅膜的上方形成第1布线；工序(c)，经由第1绝缘膜在所述第1布线之上形成含有铝的第2布线；工序(d)，在所述第2布线之上形成第2绝缘膜；工序(e)，通过除去所述第2布线之上的所述第2绝缘膜，形成使所述第2布线的一部分露出的开口部；以及工序(f)，在所述工序(e)之后，在露出的所述第2布线的表面上形成氮化铝；其中，在所述工序(a)中，在所述半导体衬底的背面也形成所述氮化硅膜。