[发明专利]失效点的定位方法及芯片的失效分析方法有效
| 申请号： | 201510020474.7 | 申请日： | 2015-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105842264B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种失效点的定位方法及芯片的失效分析方法。其中，芯片包括衬底和位于衬底的器件，该定位方法包括：对芯片的背面进行减薄处理至接近器件；对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件；以及对离子束轰击处理后的芯片的正面进行电子束扫描，以定位芯片中的失效点的位置。该定位方法通过对减薄处理后的芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过器件并使器件中产生击穿区域，从而在利用电子束对芯片的待测表面进行扫描时，待测表面上产生的表面电荷能够从器件表面沿着击穿区域被释放掉，减少了表面电荷对器件表面电势的影响，进而能够精确地获得器件中失效点的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 定位 方法 芯片 分析 | ||
【主权项】：
1.一种失效点的定位方法，用于定位芯片中失效点的位置，所述芯片包括衬底(10)和位于所述衬底中的器件，其特征在于，所述定位方法包括以下步骤：对所述芯片的背面进行减薄处理至接近所述器件；对所述减薄处理后的所述芯片的背面进行离子束轰击，以使得离子束穿过所述器件；以及对所述离子束轰击处理后的所述芯片的正面进行电子束扫描，以定位所述芯片中的失效点的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510020474.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种炼焦煤煤质临界温度测试方法
- 下一篇：一种输入输出轴总成激光焊接装置
