[发明专利]超级结器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅外延基片并形成硬掩膜层；步骤二、光刻刻蚀形成多个沟槽；步骤三、进行带角度的N型离子注入在沟槽的底部和侧壁的硅外延基片表面形成一N型注入层；步骤四、进行P型外延层生长并填充沟槽形成P型柱。本发明能降低器件的源漏导通电阻。

主权项

1.一种超级结器件的制造方法，其特征在于，包括如下制造步骤：步骤一、提供一N型轻掺杂的硅外延基片，在所述硅外延基片表面形成硬掩膜层；步骤二、采用光刻工艺定义出沟槽区域，将所述沟槽区域的所述硬掩膜层去除；以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽区域的硅进行刻蚀形成多个沟槽；各所述沟槽和由各相邻所述沟槽间的所述硅外延基片组成的N型柱呈交替排列结构；步骤三、以所述硬掩膜层为掩膜进行带角度的N型离子注入并在所述沟槽的底部和侧壁的所述硅外延基片表面形成一N型注入层；所述N型注入层的掺杂浓度大于所述硅外延基片的掺杂浓度；步骤四、进行P型外延层生长，所述P型外延层完全填充所述沟槽并由填充于所述沟槽内的所述P型外延层组成P型柱，各所述P型柱和侧面形成有所述N型注入层的所述N型柱呈交替排列的超级结结构，所述P型柱的载流子和侧面形成有所述N型注入层的所述N型柱的载流子平衡；在形成所述硬掩膜层之前还包括在所述硅外延基片的选定区域进行P型体区注入的工艺，所述P型体区注入对应的选定区域位于后续形成的各所述P型柱的顶部并延伸到所述P型柱两侧的所述N型柱中且所述P型体区的延伸终端位于所述N型柱中的所述硅外延基片中；在后续热过程中，所述N型注入层形成一中和从所述P型柱扩散过来的P型杂质的区域，使所述P型柱扩散的杂质的位置固定在所述N型注入层的厚度范围内，从而使所述N型柱中的所述硅外延基片的宽度值以及掺杂浓度都保持稳定，从而降低器件的源漏导通电阻。