[发明专利]一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法

摘要

一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光(图案化)的Ge2Sb2(1‑x)Bi2xTe5(GSBT)光刻胶先在氧化性溶液中显影，再在酸性溶液中显影，反复进行，曝光区域被去除，而未曝光区域被保留，最终在光刻胶上获得所需图案结构；其中0发明的显影方法是一种适用于GBST的高显影选择比正胶型显影方法，其显影选择比是现有工艺的四倍多，工艺简单可控、产品的尺寸形貌均一、生产周期短、成本低廉、适于大规模工业化生产。使GSBT在半导体制造工业、大规模集成电路的制造等的微纳加工领域得到更加广泛的应用。

主权项

1.一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光的Ge2Sb2(1‑x)Bi2xTe5光刻胶薄膜先在氧化性溶液中显影，再在酸性溶液中显影，反复进行，曝光区域被去除，而未曝光区域被保留，最终在光刻胶上获得所需图案结构；其中0

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510024823.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。